特許

J-GLOBAL ID：200903038291696310

絶縁膜形成材料及びその材料から形成した絶縁膜を含む半導体装置

発明者： 中田 義弘 ,  福山 俊一 ,  山口 城 ,  鈴木 克己
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 石田 敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-272742
公開番号（公開出願番号）：特開2000-100808
出願日： 1998年09月28日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：

【要約】【課題】 低誘電率化による寄生容量の低減効果を最大限に活かして高速デバイスの実現を可能とし、更に耐熱性、耐湿性に優れ、銅の拡散を抑制する新しい低誘電率絶縁膜形成材料と、この材料から形成した絶縁膜を含む高速で信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】 本発明の絶縁膜形成材料は、主鎖骨格中にアダマンタン環を含むアリーレンエーテル系ポリマからなり、その溶媒溶液を基板に塗布し、加熱処理を施して絶縁膜を形成する。

請求項（抜粋）：

主鎖骨格中にアダマンタン環を含むアリーレンエーテル系ポリマであることを特徴とする絶縁膜形成材料。

IPC (4件)：

H01L 21/312 ,  B32B 27/00 103 ,  C08G 65/34 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/312 A ,  B32B 27/00 103 ,  C08G 65/34 ,  H01L 21/90 S