特許
J-GLOBAL ID：200903038299415441
投影式リソグラフィを使ってデバイスを製造するためのプロセスおよびそのための装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡部 正夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-011368
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250414
出願日： 1996年01月26日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：
【要約】【課題】 本発明は近接効果によって生じる放射線センシティブな材料の中に導入されるコントラストが1回の露光の中で実効的に取り除かれる、投影式リソグラフィの方法および装置を提供する。【解決手段】 パターン化された放射線が少なくとも1つのレンズと1つの後方焦平面フィルタを備えているレンズ系を通して伝達される。その後方焦平面フィルタは少なくとも2つのアパーチャ、すなわち、画像アパーチャおよび近接効果補正用アパーチャを備えている。パターン化された放射線は画像アパーチャを通して伝達され、エネルギー・センシティブなレジスト材料の中に所望の画像を導入する。逆のパターンの放射線の一部分が近接効果補正用アパーチャを通して伝達され、エネルギー・センシティブなレジスト材料の上に到達し、近接効果によって生じるコントラストを実効的に取り除く。
請求項（抜粋）：
デバイスを製造するための方法であって、エネルギー・センシティブな材料をパターン化された放射線で露光し、その放射線は放射線源からの放射線でマスクを照明することによってパターン化されており、そのマスクは通過する照明放射線を大きくは散乱しない第1の領域と、通過する照明放射線を大きく散乱させる第2領域とを備え、レンズ系を通してそのパターン化された放射線をエネルギー・センシティブなレジスト材料の上に伝達し、その中でレンズ系は少なくとも1つのレンズと1つの後方焦平面フィルタとを備え、その後方焦平面フィルタはそのレンズ系の中の後方焦平面の中、または或る等価の共役面に置かれ、後方焦平面フィルタはほとんど散乱されない放射線の通過を許容する第1のアパーチャと、大きく散乱される放射線の一部分の通過を許容する少なくとも1つの他のアパーチャを備えていることを特徴とする方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 541 A
, G03F 7/20
