特許

J-GLOBAL ID：200903038305910956

半導体レーザ素子

発明者： 辻 正芳 ,  岩田 普
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-163956
公開番号（公開出願番号）：特開2001-345518
出願日： 2000年06月01日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：

【要約】【課題】 側面埋込み構造を用いてDHメサストライプ構造層内にキャリアを閉じ込め且つ光分布を緩和させる構造を持つ0.7〜1.0μm帯のメサ構造埋込み型の高出力半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 n-GaAs基板13上にn-Al0.3Ga0.7Asクラッド層14を成長させ、その後選択成長によりDH構造層15〜21を成長させ、その後このDH構造層の両側面部に膜厚0.1μmのp-In0.5Ga0.5Pキャリアブロックと電流ブロック層23〜25を形成し、その後p-Al0.3Ga0.7Asクラッド層26とp-GaAsコンタクト層27とを成長させ、最後にp側電極28とn側電極29を形成する。【効果】 層22はキャリア閉じ込め効果はあるが光閉じ込め効果は低いため、光集中を緩和して高出力レーザを実現できる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板上に活性層および該活性層を挟んで該活性層よりバンドギャップ幅の広い材料からなる広バンドギャップ層を配したダブルへテロ構造をメサストライプ状に形成し、該ダブルへテロ構造の側部を電流ブロック層で埋込み且つ該ダブルへテロ構造の頂部を第2導電型の半導体層にて埋込んだ半導体レーザ素子において、前記ダブルへテロ構造と前記電流ブロック層との間に、前記電流ブロック層の材料より広いバンドギャップの材料からなる、導波光の波長と同程度あるいはそれ以下の膜厚のキャリアブロック層が電流ブロック層の一部として挿入されていることを特徴とする半導体レーザ素子。

Fターム (8件)：

5F073AA22 ,  5F073AA45 ,  5F073AA73 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073DA23 ,  5F073EA24 ,  5F073EA29