特許

J-GLOBAL ID：200903038315954102

金属基板上への金属薄膜形成方法

発明者： 河添 昭造 ,  矢倉 和幸
出願人/特許権者： 日東電工株式会社
代理人 (1件)： 祢▲ぎ▼元 邦夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-122960
公開番号（公開出願番号）：特開平7-307553
出願日： 1994年05月11日
公開日（公表日）： 1995年11月21日
要約：

【要約】【目的】 金属基板上に薄くてかつ均一な金属薄膜を効率良く形成できる方法、とくに回路パタ-ンなど部分的に形成する際でも、公害衛生や不純物混入の問題を生じることなく、高純度でかつ高精度の回路パタ-ンなどを効率良く形成できる方法を提供する。【構成】 剥離性支持体1に金属薄膜2を設けてなる転写シ-ト3を使用し、このシ-ト3の金属薄膜2を、基板表面の水の接触角(θ)を70度以下とした金属基板4上に押圧処理して、この金属基板4上に金属薄膜2を転写することにより、金属基板4上に金属薄膜2を形成する。

請求項（抜粋）：

剥離性支持体に金属薄膜を設けてなる転写シ-トを使用し、このシ-トの金属薄膜を、基板表面の水の接触角(θ)を70度以下とした金属基板上に押圧処理して、この金属基板上に金属薄膜を転写することを特徴とする金属基板上への金属薄膜形成方法。

IPC (3件)：

H05K 3/20 ,  B23K 20/00 350 ,  H05K 1/05