特許
J-GLOBAL ID：200903038317780101
希土類系超電導体の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡邉 一平 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-035028
公開番号（公開出願番号）：特開平5-238731
出願日： 1992年02月21日
公開日（公表日）： 1993年09月17日
要約：
【要約】【目的】 RE-Ba-Cu-O系超電導体、特に10mm以上の大型のバルク体を、優れた超電導特性を有してなるように製造する。【構成】 RE-Ba-Cu-O系酸化物超電導体(REは、Y、Gd、Ho、ErまたはYbを表す。)を構成するRE、Ba及びCu成分を含む原料粉末を用いて成形した成形体に、種結晶としてSrTiO3 、MgO、LaAlO3 、LaGaO3 、NdGaO3 及びPrGaO3 の単結晶のいづれか1種を接触配置し、該酸化物超電導体の分解溶融温度以上の温度で加熱処理し、その後徐冷及び熱処理することを特徴とする希土類系酸化物超電導体の製造方法。
請求項（抜粋）：
RE-Ba-Cu-O系酸化物超電導体(REは、Y、Gd、Ho、ErまたはYbを表す。)を構成するRE、Ba及びCu成分を含む原料粉末を用いて成形した成形体に、種結晶としてSrTiO3 、MgO、LaAlO3 、LaGaO3 、NdGaO3 及びPrGaO3 の単結晶のいづれか1種を接触配置し、該種結晶配置の成形体を該酸化物超電導体の分解溶融温度以上の温度で加熱処理する分解溶融工程、徐冷工程及び熱処理工程で処理することを特徴とする希土類系酸化物超電導体の製造方法。
IPC (6件)：
C01G 3/00 ZAA
, C01G 1/00
, C30B 29/22 501
, H01B 12/00 ZAA
, H01B 13/00 565
, H01L 39/24 ZAA
