特許
J-GLOBAL ID：200903038318390536
液晶表示装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-271621
公開番号（公開出願番号）：特開平6-118445
出願日： 1992年10月09日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：
【要約】【目的】液晶駆動用TFTのある液晶表示装置に関し、TFTの動作半導体層を薄くし、パターニング用マスクの作成工程の簡略化を図り、生産性を向上する。【構成】ゲート電極16の上に積層したゲート絶縁膜19と動作半導体層20とチャネル保護膜21Aをパターニングする際にポジ型イメージ・リバーサル・レジスト22を使用し、ゲート電極16を含むトランジスタ形成領域にあるそのレジスト22の上層に光を照射し、リバーサルベークして該部分を現像不能な変質部22Aとした後、透明基板11の上と下から光を照射し、変質部22Aとゲート電極16との間を除くイメージ・リバーサル・レジスト22を光照射状態にする工程と、現像により前記イメージ・リバーサル・レジスト22を断面T字型のパターンにする工程と、そのパターンをマスクに用いてチャネル保護膜21Aを等方性エッチングし、動作半導体層20とゲート絶縁膜19を異方性エッチングするパターニング工程を含む。
請求項（抜粋）：
透明基板(11)の上に遮光層を有するゲート電極(16)を形成する工程と、それぞれ光透過性のある第一の絶縁膜(19)、動作半導体層(20)及び第二の絶縁膜(21)を、ゲート電極(16)側の前記透明基板(11)の上に順に積層する工程と、前記第二の絶縁膜(21)の上にポジ型のイメージ・リバーサル・レジスト(22)を塗布する工程と、露光用マスクを使用して、前記ゲート電極(16)とその両側に広がるトランジスタ形成領域にある前記イメージ・リバーサル・レジスト(22)の上層に光を選択的に照射し、リバーサル・べークし、この光照射部分を現像に不溶なリバーサル変質部(22A)とする工程と、前記透明基板(11)の上と下から光を照射し、前記リバーサル変質部(22A)と前記ゲート電極(16)とに挟まれる部分以外のイメージ・リバーサル・レジスト(22)を光照射状態にする工程と、現像することによって、前記リバーサル変質部(22A)と前記ゲート電極(16)とに挟まれる部分と前記リバーサル変質部(22A)を除く前記イメージ・リバーサル・レジスト(22)を熔解して断面T字状のパターンを形成する工程と、パターニングされた前記イメージ・リバーサル・レジスト(22)をマスクにして前記第二の絶縁膜(21)を等方性エッチングし、前記ゲート電極(16)に沿って残存した前記第二の絶縁膜(21)をチャネル保護膜(21A)となす工程と、前記イメージ・リバーサル・レジスト(22)をマスクに使用し、前記第一の絶縁膜(19)及び前記動作半導体層(20)を垂直方向に異方性エッチングして前記トランジスタ形成領域に残存させる工程と、前記イメージ・リバーサル・レジスト(22)を除去した後に、不純物含有半導体層(23)と金属膜(30)を積層する工程と、前記不純物含有半導体層(23)と前記金属膜(30)をパターニングして、前記チャネル保護膜(21A)上で分離されるソース電極(31)とドレイン電極(32)を形成する工程とを有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
IPC (4件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/13 101
, H01L 27/12
, H01L 29/784
