特許

J-GLOBAL ID：200903038318650791

電子装置およびその製造方法ならびに誘電体キャパシタおよびその製造方法ならびに強誘電体不揮発性記憶装置およびその製造方法

発明者： クリスチャン・グットレーベン
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-313392
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145412
出願日： 1997年11月14日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：

【要約】【課題】 電極上にBiを含む酸化物膜を有する強誘電体不揮発性メモリなどの電子装置の機械的および電気的性質の向上を図る。【解決手段】 Pt膜1上にBiPt膜2を形成して下部電極を構成し、その上に強誘電体膜としてSBT膜3を形成し、その上に上部電極としてPt膜4を形成することにより強誘電体キャパシタを構成する。Pt膜1は(111)面方位に優先配向している。BiPt膜2は、Pt膜1上にBi膜をスパッタリング法により形成した後、550〜650°CでフラッシュアニールしてBi膜とPt膜1とを合金化させることにより形成する。

請求項（抜粋）：

電極上にBiを含む酸化物膜を有する電子装置において、上記電極のうちの少なくとも上記Biを含む酸化物膜と接触する部分がBiPtからなることを特徴とする電子装置。

IPC (8件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371