半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-112969
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307638
出願日： 1998年04月23日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：

【要約】【課題】レーザーによるヒューズブロー工程を用いる半導体装置では、ヒューズを溶断するためにヒューズ上のシリコン窒化膜及びシリコン酸化膜からなる絶縁膜層をエッチングする。このエッチングにより最上層のシリコン窒化膜がなくなり、酸化膜しか残らなくなる。このため、ヒューズに近接する配線に湿気が触れることとなり、腐食による断線などの問題が生じていた。【解決手段】本願発明は、上面に凹部を有するシリコン酸化膜32と、そのシリコン酸化膜32の上面に形成され、前記凹部に沿って凹部を有するシリコン窒化膜33と、前記シリコン酸化膜32内であって、前記シリコン酸化膜32の凹部の底面34から所定の深さに形成された導電配線(ポリシリコン膜28)と、前記凹部に近接するアルミ配線35とを具備することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

上面に第一の凹部を有する第一の絶縁膜と、その第一の絶縁膜の表面に形成され、前記第一の凹部に沿って第二の凹部を有する第二の絶縁膜と、前記第一の絶縁膜内であって、前記第一の凹部の底面から所定の深さに形成されたヒューズ配線と、前記第一の凹部に近接した金属配線とを具備することを特徴とする半導体装置。

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