特許

J-GLOBAL ID：200903038323335209

溶融層法用単結晶成長装置及び該装置を用いた単結晶中の酸素濃度制御方法

発明者： 稲見 修一 ,  宮原 俊二 ,  藤原 俊幸 ,  久保 高行 ,  藤原 秀樹
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 井内 龍二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-046347
公開番号（公開出願番号）：特開平5-043380
出願日： 1991年03月12日
公開日（公表日）： 1993年02月23日
要約：

【要約】原料を収容したるつぼ11及び該るつぼ11の周囲に配設されたヒータ14等を備えた溶融層法用単結晶成長装置10において、前記るつぼ11内の溶融液17面の上方近傍にその先端部19aが位置し、該先端部19aの内径が前記るつぼ11内径の60%以上である上方に向かって拡開した逆円錐台形状の熱遮へい治具19が、前記るつぼ11の上方に配設されている溶融層法用単結晶成長装置。この溶融層法用単結晶成長装置10により単結晶16を製造する方法により溶融液17表面からのSiOの蒸発を抑制し、単結晶16への酸素供給量を増大させることができる。従って、溶融層法による不純物の偏析の少ない結晶を成長させながら、しかも形成される単結晶16の高酸素化を実現することができる。

請求項（抜粋）：

原料を収容したるつぼ及び該るつぼの周囲に配設されたヒータ等を備えた溶融層法用単結晶成長装置において、前記るつぼ内の溶融液面の上方近傍にその先端部が位置し、該先端部の内径が前記るつぼ内径の60%以上である上方に向かって拡開した逆円錐台形状の熱遮へい治具が、前記るつぼの上方に配設されていることを特徴とする溶融層法用単結晶成長装置。

IPC (3件)：

C30B 15/00 ,  C30B 15/02 ,  C30B 15/14

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-138384
  
• 特開昭60-247106
  
• 特開平3-199947
  
• 特開昭63-164231