特許
J-GLOBAL ID：200903038326192182

半導体微粒子分散液、半導体微粒子分散液の製造方法、半導体微粒子膜の形成方法、及び光電極

発明者：
瓦家 正英

瓦家 正英 について


出願人/特許権者：
関西ペイント株式会社

関西ペイント株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-075846
公開番号（公開出願番号）：特開2004-111348
出願日： 2003年03月19日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：
【課題】光電極に適した半導体微粒子分散液を提供する。【解決手段】半導体微粒子、ポリアルキレン構造に酸基、塩基性基、エポキシ基、加水分解性シリル基、ヒドロキシシリル基から選ばれる少なくとも1種の活性基を含有する分散樹脂、水及び/又は有機溶媒を必須成分とする半導体微粒子分散液、半導体微粒子、ポリアルキレン構造に酸基、塩基性基、エポキシ基、加水分解性シリル基、ヒドロキシシリル基から選ばれる少なくとも1種の活性基を含有する分散樹脂、水及び/又は有機溶媒を必須成分とする半導体微粒子分散液を分散機を使用して平均粒子径100nm以下まで分散する半導体微粒子分散液の製造方法、該半導体微粒子分散液を透明高分子フィルムの片面に透明電極層が積層された導電フィルム表面に塗布する半導体微粒子膜の形成方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
半導体微粒子、ポリアルキレン構造に酸基、塩基性基、エポキシ基、加水分解性シリル基、ヒドロキシシリル基から選ばれる少なくとも1種の活性基を含有する分散樹脂、水及び/又は有機溶媒を必須成分とすることを特徴とする半導体微粒子分散液。
IPC (2件)：
H01M14/00 ,  H01L21/208
FI (3件)：
H01M14/00 P ,  H01L21/208 D ,  H01L31/04 Z
Fターム (18件)：
5F051AA14 ,  5F051FA01 ,  5F051FA30 ,  5F053AA03 ,  5F053AA50 ,  5F053BB24 ,  5F053DD20 ,  5F053GG10 ,  5F053HH05 ,  5F053LL05 ,  5F053RR01 ,  5F053RR03 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB05 ,  5H032EE04 ,  5H032EE07
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (6件)
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