特許
J-GLOBAL ID:200903038326672419
圧電磁器組成物及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-066696
公開番号(公開出願番号):特開2001-253772
出願日: 2000年03月10日
公開日(公表日): 2001年09月18日
要約:
【要約】【課題】高電気機械結合係数、低誘電率であるとともに、低温での焼成が可能なPbZrO<SB>3</SB>-PbTiO<SB>3</SB>組成系の圧電磁器組成物を提供する。【解決手段】PbZrO<SB>3</SB>-PbTiO<SB>3</SB>-Pb(Zn<SB>1/3</SB> Sb<SB>2/3</SB>)O<SB>3</SB>を主体とし、LiとBiならびにCuの元素をそれぞれLi<SB>2</SB>CO<SB>3</SB>、Bi<SB>2</SB>O<SB>3</SB>、CuOに換算して、0重量%<Li<SB>2</SB>CO<SB>3</SB><1.0重量%、0重量%<Bi<SB>2</SB>O<SB>3</SB><1.0重量%、0重量%<CuO<2.0重量%の範囲でそれぞれ含有させて圧電磁器組成物を構成する。
請求項(抜粋):
PbZrO<SB>3</SB>-PbTiO<SB>3</SB>-Pb(Zn<SB>1/3</SB> Sb<SB>2/3</SB>)O<SB>3</SB>を主体とし、Li、Bi、及びCuの元素をそれぞれLi<SB>2</SB>CO<SB>3</SB>、Bi<SB>2</SB>O<SB>3</SB>、CuOに換算して、0重量%<Li<SB>2</SB>CO<SB>3</SB><1.0重量%、0重量%<Bi<SB>2</SB>O<SB>3</SB><1.0重量%、0重量%<CuO<2.0重量%の範囲で含有してなる圧電磁器組成物。
IPC (3件):
C04B 35/49
, H01L 41/187
, H01L 41/24
FI (3件):
C04B 35/49 P
, H01L 41/18 101 F
, H01L 41/22 A
Fターム (11件):
4G031AA11
, 4G031AA12
, 4G031AA25
, 4G031AA26
, 4G031AA32
, 4G031AA34
, 4G031AA35
, 4G031AA37
, 4G031BA10
, 4G031GA02
, 4G031GA11
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