特許

J-GLOBAL ID：200903038328593133

薄膜磁気デイスクの製造方法

発明者： 大竹 光義 ,  渡辺 正博 ,  猪股 洋一 ,  森口 善弘
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-291239
公開番号（公開出願番号）：特開平5-128505
出願日： 1991年11月07日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：

【要約】【目的】本発明は薄膜磁気ディスクの製造プロセスに関し、特にテクスチャ加工中に生じた加工暦や自然酸化膜を洗浄中に加工液や砥粒、加工粉と共にエッチング除去し、円周方向に磁気異方性を付けることにある。【構成】Ni-P2めっき膜をテクスチャ加工し、加工液などの汚染部質の洗浄と同じに、加工で生じる歪や熱による局部的に結晶化した部分をエッチングする。エッチングは洗浄液にNi-Pをエッチングする酸性部質又はアルカリ性部質を添加したものを使用する。【効果】洗浄中に汚染物の除去と加工暦をエッチンするため、磁気異方性の優れた次成膜を成膜できる効果がある。

請求項（抜粋）：

磁性媒体を支えるNi-Pメッキ基板の上に、下地膜、磁性膜、保護膜、潤滑膜を順次成膜し、且つ、基板と下地膜の間にテクスチャ加工処理を行う薄膜磁気ディスクの製造方法において、テクスチャ加工直後、汚染物の洗浄と共に基板表面をエッチングすることを特徴とする薄膜磁気ディスクの製造方法。