特許

J-GLOBAL ID：200903038333600997

シリコンウエーハの処理方法

発明者： 川原 博幸 ,  元浦 久実 ,  植村 訓之
出願人/特許権者： コマツ電子金属株式会社
代理人 (1件)： 猪熊 克彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-235271
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326535
出願日： 1992年08月10日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】シリコンウエーハ表面の微小欠陥を除去するための好ましい熱処理条件を提供し、併せてゲッタリング効果の低下を阻止する。【構成】引き上げ法により形成したシリコンウエーハを、11.1-1.04×10<SP>-2</SP>×T<log(t)<6.0-4.3×10<SP>-3</SP>×T(但し、Tは°C単位で表した熱処理温度、tはHr単位で表した熱処理時間)の範囲内で熱処理することを特徴とし、また、17.5-1.57×10<SP>-2</SP>×T<log(t)<4.4-3.2×10<SP>-3</SP>×Tの範囲内で熱処理することを特徴とし、また上記熱処理に引き続いてより低温の熱処理を施すことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

引き上げ法により形成したシリコンウエーハを、11.1-1.04×10<SP>-2</SP>×T<log(t)<6.0-4.3×10<SP>-3</SP>×T(但し、Tは°C単位で表した熱処理温度、tはHr単位で表した熱処理時間)の範囲内で熱処理することを特徴とするシリコンウエーハの処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/324 ,  H01L 21/322

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭58-044724
  
• 特開平1-136343
  
• 特開平3-177541
  
• 特開昭58-087833