特許

J-GLOBAL ID：200903038341015203

超微小放出領域を有する負電子親和力フォトカソードを利用した電子ソース

発明者： バウム,アーロン,ダブリュー ,  コステロ,ケネス,エー ,  ピース,アール,ファビアン
出願人/特許権者： インテバック・インコーポレイテッド ,  ザ・ボード・オブ・トラスティーズ・オブ・ザ・リーランド・スタンフォード・ジュニア・ユニバーシティ
代理人 (1件)： 竹内 澄夫 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-505847
公開番号（公開出願番号）：特表平11-509360
出願日： 1996年06月27日
公開日（公表日）： 1999年08月17日
要約：

【要約】電子ソースは,透光基板上の負電子親和力フォトカソード及び電子を伝導帯へ励起するべくフォトカソードの基板を通過した光線を導くための光線ジェネレータを含む。該フォトカソードは,少なくとも一つの大きさが約2ミクロン以下の電子放出活性領域を有する。当該電子ソースはさらに電子を電子ビームに成形するための電子光学部材及び該フォトカソードを高真空に維持するための真空エンクロージャを含む。ひとつの実施例において,フォトカソードの活性放出領域は該フォトカソードに入射する光線によって画成される。他の実施例において,フォトカソードの活性放出領域はフォトカソードの表面修正によって予め画成される。ソースはフォトカソードの超小活性放出領域から非常に高輝度をもたらす。

請求項（抜粋）：

電子ソースであって, 光透過性基板上の負電子親和力フォトカソードであって,該フォトカソードは伝導帯及び少なくとも一つの電子放出用の活性領域を有し,該活性領域は一つ以上の約2ミクロン以下の寸法を有するところのフォトカソードと, 電子を前記フォトカソードの伝導帯内へ励起するために,前記光透過性基板を通じて光線を前記フォトカソードの活性領域に導くための光線ジェネレータと, 前記フォトカソードの活性領域から放出された電子を電子ビームに成形するための電子光学素子と, 前記フォトカソードの伝導帯内の電子が,前記フォトカソードに隣接する真空エンクロージャ内の電子よりも高いエネルギーを有しかつ前記フォトカソードの活性領域から真空エンクロージャ内へ放出される高い確率を有するように,前記フォトカソードを高真空に維持するための真空エンクロージャと,から成る電子ソース。

IPC (2件)：

H01J 37/06 ,  H01J 1/34

FI (2件)：

H01J 37/06 A ,  H01J 1/34 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• スピン偏極電子源
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-199088   出願人：株式会社日立製作所
• 特開昭62-008436
  
• 特開平3-176953
  
• 光電陰極装置とその製造方法及び光電陰極装置を適用した暗視システム用画像増幅管
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-354786   出願人：リットンシステムズインコーポレイテッド