特許
J-GLOBAL ID：200903038345210906
半導体集積回路装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-295357
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136295
出願日： 1991年11月12日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：
【要約】【目的】ICチップを被うモールドの厚さがTSOP等のケースで薄くなった時、外界よりの光、PSDの影響を防ぐ。【構成】ICチップに設けたSiO2 の保護膜の上を金属膜で前面を覆う。またESDよりの保護のため、SiO2 の保護膜に開けられたスルーホールを通して金属膜を電源又はGNDに接続する。【効果】モールドで防ぎきれない光については光を通さない金属膜で遮断する。モールドの表面が帯電することによりESDについては、この金属膜を一定電位に落すことにより静電遮へいする。
請求項（抜粋）：
半導体基板に複数の半導体素子を備え、この半導体素子を絶縁物の保護膜で覆った半導体集積回路チップをリードフレームに搭載し、モールドで封止した半導体集積回路装置において、前記半導体集積回路チップの主要部分を被う金属膜を前記保護膜上に設けた事を特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (2件)：
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