半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-036528
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252412
出願日： 1993年02月25日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：

【要約】【目的】キャパシタンス容量を十分に確保するとともに微細化を可能とし、それによって高密度化・高速化を図った半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】第1のゲート絶縁膜(102)を表面に有するp型シリコン半導体基板(101)上に、第1のゲート電極(111)と素子分離絶縁膜(108)とが形成され、その上に第2のゲート絶縁膜(115)を介して第2のゲート電極(116)が設けられた半導体装置である。前記第1のゲート電極(111)は、第1の多結晶シリコン膜の上にエッチングストッパー膜を介して第2の多結晶シリコン膜を形成した後、エッチングストッパー膜を残すようにこの第2の多結晶シリコン膜に異方性エッチングを施すか、又は選択的にエッチングすることによって形成される。

請求項（抜粋）：

互いに電気的に分離して形成された第2導電型のソース、ドレイン領域をその表面に有する第1導電型の半導体基板と、このソース、ドレイン領域に挟まれたチャネル領域上に形成された第1のゲート絶縁膜と、この第1のゲート絶縁膜上に設けられた第1のゲート電極と、第1のゲート電極に隣接して設けられた素子分離絶縁膜と、第1のゲート電極上に形成された第2のゲート絶縁膜と、この第2のゲート絶縁膜上に形成された第2のゲート電極とを具備する半導体装置において、前記第1のゲート電極は、前記第1のゲート絶縁膜上に形成された第1の導電性膜と、この第1の導電性膜の素子分離絶縁膜に隣接する部分の上にエッチングストッパー薄膜を介して、かつ前記素子分離絶縁膜の側壁に沿って設けられた第2の導電性膜とからなることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/04 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭63-229860
特開昭63-102266
特開平4-074477

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