特許

J-GLOBAL ID：200903038351565082

有機半導体及びそれを用いる有機薄膜トランジスタ素子

発明者： 福田 光弘 ,  片倉 利恵 ,  北 弘志
出願人/特許権者： コニカミノルタホールディングス株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-312558
公開番号（公開出願番号）：特開2004-146733
出願日： 2002年10月28日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：

【課題】移動度の高い新規な有機半導体及び、該有機半導体を用いた有機薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】一般式(1)で表される化合物を含有する有機半導体。【化1】【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で表される化合物を含有することを特徴とする有機半導体。

IPC (4件)：

H01L51/00 ,  C07D209/82 ,  C08G61/12 ,  H01L29/786

FI (4件)：

H01L29/28 ,  C07D209/82 ,  C08G61/12 ,  H01L29/78 618B

Fターム (50件)：

4C204BB03 ,  4C204BB09 ,  4C204CB25 ,  4C204EB01 ,  4C204FB09 ,  4C204GB13 ,  4J032BA20 ,  4J032BB01 ,  4J032CG01 ,  5F110AA01 ,  5F110AA17 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE41 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF21 ,  5F110FF23 ,  5F110FF25 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG41 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 電界効果トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-264313   出願人：三菱電機株式会社