特許

J-GLOBAL ID：200903038352437410

プラズマ処理装置

発明者： 宮 本 高 志 ,  津 上 芳 三
出願人/特許権者： 芝浦メカトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-171495
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012289
出願日： 1998年06月18日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】 放電管の長寿命化を図り得るプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 誘電体で形成された放電管6の内部にプロセスガスを導入し、放電管6の内部のプロセスガスにマイクロ波導波管8を介してマイクロ波を照射してプラズマを発生させるようにしたプラズマ処理装置である。マイクロ波導波管8は放電管6の長手方向に沿って配置されている。マイクロ波導波管8には、放電管6の内部にマイクロ波を導入するためのスリット21が設けられている。スリット21の厚さは、マイクロ波がスリットの全体にわたって均一に通過するように最適化されている。

請求項（抜粋）：

誘電体で形成された放電管の内部にプロセスガスを導入し、前記放電管の内部の前記プロセスガスにマイクロ波導波管を介してマイクロ波を照射してプラズマを発生させるようにしたプラズマ処理装置において、前記マイクロ波導波管は前記放電管の長手方向に沿って配置されており、前記マイクロ波導波管には、前記放電管の内部にマイクロ波を導入するためのスリットが設けられており、前記スリットの厚さは、マイクロ波が前記スリットの全体にわたって均一に通過するように最適化されていることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H05H 1/46 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065

FI (3件)：

H05H 1/46 B ,  C23F 4/00 D ,  H01L 21/302 B

Fターム (12件)：

4K057DA02 ,  4K057DB06 ,  4K057DD01 ,  4K057DM29 ,  4K057DM40 ,  4K057DN01 ,  5F004AA01 ,  5F004BA03 ,  5F004BA20 ,  5F004BB12 ,  5F004BB13 ,  5F004BB14