特許
J-GLOBAL ID：200903038352903305
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-069988
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254612
出願日： 1994年03月14日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：
【要約】【目的】 ガードリング層の厚さを正確に制御することができるヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。【構成】 GaAs基板1上にコレクタ層3、ベース層4および部分エミッタ層5、7を順次積層してなり、ガードリング層9を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、エミッタ層は所望の位置に挿入されたエッチング停止層6及び該エッチング停止層6の上下の二つの部分エミッタ層5、7から構成されており、ガードリング層9は、前記エッチング停止層6及び前記エッチング停止層6よりベース層4側にある部分エミッタ層5により構成されている。
請求項（抜粋）：
GaAs基板上にコレクタ層、ベース層およびエミッタ層を順次積層してなり、ガードリング層を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、エミッタ層は所望の位置に挿入されたエッチング停止層及び該エッチング停止層の上下の二つの部分エミッタ層から構成されており、ガードリング層は前記エッチング停止層よりベース層側にある部分エミッタ層又は、前記エッチング停止層及び前記エッチング停止層よりベース層側にある部分エミッタ層により構成されていることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
