特許
J-GLOBAL ID：200903038353986719
長波長放出垂直空洞面放出レーザおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大貫 進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-046205
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256656
出願日： 1998年02月10日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】【課題】 光遠隔通信に用いるための長波長垂直空洞面放出レーザ(VCSEL)(40),ならびに支持基板(22)上における活性VCSEL構造(20)の作成およびシリコン基板(12)上における高反射率DBRミラー構造(10)の作成を含む製造方法を提供する。【解決手段】 DBRミラー構造は、エピタキシャル成長技法および/またはSOIウエハ融着技術を用いるウエハ・ボンディングを利用して製造した、酸化シリコン物質およびシリコン物質の交互層(14,16)を含む。VCSEL素子の製造の間、Si/SiO2 DBRミラー構造を活性VCSEL構造にウエハ・ボンドする。支持基板(22,24,26)上の活性VCSEL構造を選択的に除去し、第2DBRミラー・スタック(42)の位置付けを可能にする。最終的なVCSEL素子は、赤外線光を放出することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
垂直空洞面放出レーザであって:表面(11)を有するシリコン支持基板(12);前記シリコン支持基板(12)上に配置された第1分布ブラッグ反射器(13)であって、交互層(14,16)の対を含む第1分布ブラッグ反射器(13);前記第1分布ブラッグ反射器(13)上に配置された第1接触層(18)であって、ボンディング層として特徴付けられる第1接触層(18),前記第1接触層(18)に融着された第1クラッディング領域(37,38),該第1クラッディング領域(37,38)上に配置された活性領域(34),該活性領域(34)上に配置された第2クラッディング領域(31,32),および該第2クラッディング領域(31,32)上に配置された第2接触層(28);および前記第2接触層(28)上に配置された第2分布ブラッグ反射器(42)であって、交互層(44,46)の対を含む第2分布ブラッグ反射器(42);から成ることを特徴とする垂直空洞面放出レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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