特許
J-GLOBAL ID:200903038355693263

チップキャリア並びにその製造装置及び製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴江 武彦 (外5名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-204814
公開番号(公開出願番号):特開平10-050882
出願日: 1996年08月02日
公開日(公表日): 1998年02月20日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、バイアホールに相当する各導電性柱部材の形成の後に周囲に絶縁層を形成することにより、レーザや金型による穴あけ工程を省略して低コスト化を実現でき、層間接続配線の導通を確保して信頼性の向上を図る。【解決手段】 略中央に半導体チップ搭載用の開口部(21)が形成された第1配線層(22)と、第1配線層の片面上に選択的に形成された各導電性柱部材(23)と、第1配線層の片面上で各導電性柱部材とは異なる部位に選択的に形成された絶縁層(24)と、絶縁層及び各導電性柱部材の上面に形成され、各導電性柱部材を介して第1配線層に電気的に接続された第2配線層(25)と、第2配線層から連続的に櫛歯状に形成され先端が開口部の周縁よりも内側に位置する半導体接続用電極(26)と、第1配線層から連続的に形成され、外部要素と電気的に接続するための外部接続手段(27)とを備えたチップキャリア並びにその製造装置及び製造方法。
請求項(抜粋):
略中央に半導体チップを搭載するための開口部が形成された第1配線層と、前記第1配線層の片面上に選択的に形成された複数の導電性柱部材と、前記第1配線層の片面上で前記各導電性柱部材とは異なる部位に選択的に形成された絶縁層と、前記絶縁層及び前記各導電性柱部材の上面に形成され、前記各導電性柱部材を介して前記第1配線層に電気的に接続された第2配線層と、前記第2配線層から連続的に櫛歯状に形成され、前記第1配線層の略中央に位置する半導体チップ搭載部の周囲に位置する半導体接続用電極と、前記第1配線層から連続的に形成され、外部要素と電気的に接続するための外部接続手段とを備えたことを特徴とするチップキャリア。
IPC (3件):
H01L 23/12 ,  H01L 21/60 311 ,  H05K 3/46
FI (3件):
H01L 23/12 L ,  H01L 21/60 311 Q ,  H05K 3/46 B

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