特許

J-GLOBAL ID：200903038362076555

パターン形成方法

発明者： 吉村 俊之 ,  三浦 尚子 ,  岡崎 信次
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-211214
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061160
出願日： 1992年08月07日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：

【要約】【目的】 極微細パターン形成に当たり、表面凹凸を抑制したパターン形成を高感度で実現すること。【構成】 基板11に極薄膜の種材料膜12を形成した後に、エネルギー線13の照射により所望のパターンの潜像14を形成する。ここで潜像14を除去した後に、パターンを構成する配向性材料15を付着させる。この付着に当たっては基板11と種材料膜12の表面性質の違いにより、選択的に配向性材料15が付着する。【効果】 特に0.1μm程度以下の極微細パターンの形成において、表面凹凸を抑制したパターン形成を高感度で実現することに効果がある。

請求項（抜粋）：

基板上に微細なパターンを形成するパターン形成方法において、表面性質が該基板とは異なる薄膜を形成する工程と、選択的に所望の部分の薄膜を除去する工程と、該表面性質の違いにより配向性材料を付着させる工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/208 ,  G03F 7/40 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/368