特許

J-GLOBAL ID：200903038365252265

半導体装置

発明者： 星 淳一
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-060652
公開番号（公開出願番号）：特開2000-261007
出願日： 1999年03月08日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】 オンチップレンズが形成される半導体装置において、前記オンチップレンズが形成される工程を利用し、他のバンプ、スペーサ構造をも同時に形成することを課題とする。【解決手段】 光あるいは放射線を取扱う半導体チップを具備する半導体装置において、前記半導体チップの上面に集光用のレンズと電気的導通を図るためのバンプが形成されており、前記レンズと前記バンプが同一の有機材料で形成されていることを特徴とする。また、光あるいは放射線を取扱う半導体チップを具備する半導体装置において、前記半導体チップの上面には集光用のレンズと前記チップの高さの位置決めをするためのスペーサが形成されており、前記レンズと前記スペーサが同一の材料で形成されていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

光あるいは放射線を取扱う半導体チップを具備する半導体装置において、前記半導体チップの上面に集光用のレンズと電気的導通を図るためのバンプが形成されており、前記レンズと前記バンプが同一の有機材料で形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 31/0232 ,  H01L 21/60 ,  H01L 27/14

FI (3件)：

H01L 31/02 D ,  H01L 21/92 603 A ,  H01L 27/14 D

Fターム (17件)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118CA03 ,  4M118GA10 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118HA30 ,  4M118HA31 ,  5F088AB11 ,  5F088AB19 ,  5F088BB03 ,  5F088EA04 ,  5F088EA16 ,  5F088FA09 ,  5F088JA03 ,  5F088JA12 ,  5F088JA20