特許
J-GLOBAL ID：200903038368217924
形状記憶合金薄膜アクチュエータ及びその製造方法、並びに光偏向器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-247225
公開番号（公開出願番号）：特開平9-088805
出願日： 1995年09月26日
公開日（公表日）： 1997年03月31日
要約：
【要約】【課題】SMA薄膜を堆積後に結晶化の熱処理が高温で十分に行え、SMA薄膜のパターン幅によらず基板から離間したSMA薄膜を得ることができる、信頼性に優れて小型化の可能な形状記憶合金薄膜アクチュエータ及びその製造方法を提供する。【課題を解決する手段】半導体基板10と、この基板の上面に絶縁膜11を介して一部が支持され、他部が基板の貫通孔12上に延出した形状記憶合金薄膜13と、この形状記憶合金薄膜の上面を覆った第1の誘電体薄膜14と、この第1の誘電体薄膜の上面に形成された金属薄膜15よりなり形状記憶合金薄膜を間接的に加熱するヒータと、金属薄膜の上面を覆った第2の誘電体薄膜16とがモノリシックに形成されている。
請求項（抜粋）：
基板と、この基板の上面に一部が支持された形状記憶合金薄膜と、この形状記憶合金薄膜の上面を覆った第1の誘電体薄膜と、この第1の誘電体薄膜の上面に形成された金属薄膜と、金属薄膜の上面を覆った第2の誘電体薄膜とがモノリシックに形成されていることを特徴とする形状記憶合金薄膜アクチュエータ。
IPC (3件)：
F03G 7/06
, C23C 14/06
, G02B 26/08
F03G 7/06 E
, C23C 14/06 N
, G02B 26/08 A
