特許

J-GLOBAL ID：200903038374528800

半導体装置

発明者： 花岡 宏明 ,  桜井 直樹 ,  森 睦宏
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-027860
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283401
出願日： 1995年02月16日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【目的】本発明の目的は低ノイズでありかつ破壊耐量の大きいIGBTモジュールを提供することである。【構成】IGBTとダイオードを逆並列に組み込んだIGBTモジュールにおいて、IGBTのn- 層13の比抵抗の方がダイオードのn- 層17の比抵抗よりも大きく、かつIGBTの動的耐圧がダイオード及びIGBTの静的耐圧よりも低いIGBTモジュール。【効果】IGBTのn- 層13の比抵抗をダイオードのn- 層17の比抵抗よりも低くし、これらをIGBTモジュールとして組み込むことにより、IGBTのn- 層13の比抵抗を大きくしたときのテール電流低減によるターンオフ時のIGBTの跳上り電圧,セル構造を微細化しターンオン時の電流変化率を大きくしたときのダイオードの跳上り電圧を低減し、ノイズが発生せずかつ破壊耐量の大きなIGBTモジュールを得ることができる。

請求項（抜粋）：

逆並列に接続した少なくとも一対の絶縁ゲートバイポーラトランジスタとダイオードを有し、ダイオードのベース層の比抵抗が絶縁ゲートバイポーラトランジスタのコレクタ側ベース層の比抵抗よりも低く、絶縁ゲートバイポーラトランジスタが導通状態から阻止状態にスイッチングするときの耐圧が絶縁ゲートバイポーラトランジスタ及びダイオードの阻止状態の耐圧よりも低いことを特徴とする半導体装置。