特許
J-GLOBAL ID：200903038375465330
プラズマ処理装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
亀谷 美明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-340614
公開番号（公開出願番号）：特開平10-172792
出願日： 1996年12月05日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：
【要約】【課題】 均一な処理が可能なプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 本発明によれば,開口部102b内に第1シールド部材160及び誘電部材158を介して,1周のみ略環状の高周波アンテナ156を設けた。そして,この高周波アンテナ156の中点において直列共振が生じるように,接地側に接続されている可変コンデンサ172のキャパシタンスが調整される。かかる構成により,プラズマ生成空間に所望の電界を生じさせて,高密度プラズマを生成させることができる。また,給電部材126は,その略垂直方向の断面形状が,指数関数r=f(L)で表される輪郭を有するように形成されている。従って,絶縁破壊や高周波電力の減衰等が生じることなく,上部電極124に高周波電力を供給することができる。
請求項（抜粋）：
気密な処理室内に上部電極と被処理体を載置可能な下部電極とを対向配置し,前記上部電極および前記下部電極に所定の高周波電力を印加することにより,前記被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において:前記プラズマ生成空間の周囲を囲むように,所定の高周波電力を印加可能な1ターンの誘導結合型アンテナを配置し;前記アンテナの少なくともプラズマ生成空間側には絶縁壁が配され,前記アンテナのプラズマ生成空間以外の側はグランドでシールドされていることを特徴とする,プラズマ処理装置。
IPC (5件)：
H05H 1/46
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/3065
, H01L 21/205
H05H 1/46 L
, C23C 16/50
, C23F 4/00 A
, H01L 21/205
, H01L 21/302 B
