半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-064066
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264648
出願日： 1995年03月23日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】半導体装置の多層配線用層間絶縁膜に使用されるフッ素が含有された非晶質炭素膜と電極、配線材料との間に、ガスの拡散を防ぐ緩衝層を設けることにより半導体装置の耐熱性を向上させる。【構成】非晶質炭素膜を用いた半導体装置であって、非晶質炭素膜1が電極、配線の金属材料に接する部分にガス放出を抑えるための緩衝層12を設けることによって、熱処理時の非晶質炭素膜からのガス放出を抑えて、熱処理時の電極、配線材料の劣化を防止し、従来よりも高い温度に耐えうる半導体装置を実現する。新たに形成する緩衝層の材料としては、非晶質炭素膜からの放出ガスを遮ることのできる材料であればよく、SiO2 、Si3 N4 、あるいは非晶質炭素膜にシリコンを含有させた絶縁材料、及び非晶質炭素膜に窒素を含有させた絶縁材料が使用できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された半導体装置の層間絶縁膜に、非晶質炭素膜またはフッ素を含有する非晶質炭素膜が用いられた半導体装置であって、前記非晶質炭素膜と、前記半導体装置の電極または配線材料またはトランジスタ部との間に、前記非晶質炭素膜とは構成元素または組成が異なる絶縁膜からなる緩衝層を備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/768 , H01L 21/314

FI (2件)：

H01L 21/90 K , H01L 21/314 Z

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-087047
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-028000 出願人：富士通株式会社
特開昭64-069032

全件表示

前のページに戻る