特許

J-GLOBAL ID：200903038383800903

サセプタ、半導体ウェーハの製造装置及び製造方法

発明者： 吉田 知佐
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (2件)： 荒船 良男 ,  荒船 博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-283993
公開番号（公開出願番号）：特開2004-119859
出願日： 2002年09月27日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：

【課題】基板が載置される際の横滑りを十分に抑制することが可能なサセプタ、半導体ウェーハの製造装置及び製造方法を提供する。【解決手段】気相成長の際に半導体基板Wを支持するサセプタ20、半導体ウェーハの製造装置及び製造方法である。サセプタ20は、サセプタ20に半導体基板Wを位置決めさせるための座ぐり21を備える。座ぐり21は、座ぐり21内で半導体基板Wの外周縁部を支持する支持部22を備える。座ぐり21は、支持部22よりも中心側の座ぐり底面23と半導体基板Wとの隙間のガスをサセプタ主表面側に逃がすためのガス逃げ部24を備える。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

気相成長の際に半導体基板を支持するサセプタにおいて、当該サセプタに半導体基板を位置決めさせるための座ぐりと、該座ぐり内で半導体基板の外周縁部を支持する支持部と、該支持部よりも中心側の座ぐり底面と半導体基板との隙間のガスをサセプタの主表面側に逃がすためのガス逃げ部と、を備えることを特徴とするサセプタ。

IPC (3件)：

H01L21/205 ,  C23C16/458 ,  H01L21/68

FI (3件)：

H01L21/205 ,  C23C16/458 ,  H01L21/68 N

Fターム (25件)：

4K030BA29 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030GA02 ,  4K030LA12 ,  4K030LA15 ,  5F031CA02 ,  5F031HA02 ,  5F031HA05 ,  5F031HA07 ,  5F031HA10 ,  5F031HA33 ,  5F031HA37 ,  5F031HA58 ,  5F031HA59 ,  5F031KA02 ,  5F031KA11 ,  5F031MA28 ,  5F031NA05 ,  5F045BB08 ,  5F045DP02 ,  5F045EK07 ,  5F045EM06 ,  5F045EM07