特許

J-GLOBAL ID：200903038384447808

減圧気相成長装置

発明者： 小池 信行
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-121354
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291143
出願日： 1992年04月15日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：

【要約】【目的】 膜厚のバッチ内均一性向上のための試行作業回数を低減し、生産性の向上と省力化を達成する。【構成】 半導体ウエハー5はハッチ6上の石英ボート4に搭載され、炉芯管3内で密閉される。炉芯管内はヒータ1で加熱され、真空ポンプ8により真空状態にされる。ここで材料ガスを流すことにより、半導体ウエハー5の表面に薄膜が成長する。炉内各位置の成長膜厚の測定データを処理部12に入力し、熱電対7により計測したヒータ1の温度分布データと合わせて、膜厚変化量とヒータ温度変化量の相関データベース11に照合し、平均膜厚からのずれ量の分布に最も近い膜厚変化量を生じるヒータ温度の変化量を求め、これから逆算することによって最適なヒータ温度を決定する。

請求項（抜粋）：

相関データベースと、処理部とを有する減圧気相成長装置であって、相関データベースは、ヒータの温度を基準温度から様々に変化させて半導体ウエハー表面に薄膜を成長させ、その時の炉内各位置での成長膜厚変化量の分布とヒータ温度の基準温度からの変化量の分布との相関データベースを登録したものであり、処理部は、相関データベースの相関データを参照して、前回の作業の炉内膜厚分布のデータとヒータ温度から最適なヒータ温度を計算し、制御するものであることを特徴とする減圧気相成長装置。