特許

J-GLOBAL ID：200903038386531172

半導体装置および半導体素子の金属配線形成用ホトマスクとその形成方法

発明者： ホ ヨン チョル
出願人/特許権者： ヒュンダイ エレクトロニクス インダストリーズ カムパニー リミテッド
代理人 (1件)： 谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-111603
公開番号（公開出願番号）：特開平10-056015
出願日： 1997年04月28日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：

【要約】【課題】 プラズマを用いてドライエッチングを行うとき、下部のゲート酸化膜の劣化を防止して、素子の特性の劣化を制御する。【解決手段】 半導体素子の金属配線を形成するためのホトマスク形成方法であって、素子を正常に動作させるのに必要な基本金属パターンを設計する工程と、基本金属パターンを所定幅拡張して拡張金属パターンを設計する工程と、拡張金属パターンを反転させてダミー金属パターンを設計する工程と、基本金属パターンとダミー金属パターンとを合成して最終金属パターンを設計する工程とを具備するホトマスク形成方法によりホトマスクを形成し、これを用いて半導体素子の金属配線を形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁層上に形成される電気的連結のための金属配線を有する半導体装置において、前記金属配線が基本金属パターンおよびダミー金属パターンを含み、前記基本金属パターンとダミー金属パターンとの間隔が一定間隔に維持されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 ,  G03F 1/08 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

H01L 21/88 B ,  G03F 1/08 A ,  H01L 21/302 J ,  H01L 21/30 502 P

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-307958
  
• 特開平1-295443
  
• ICチップ自動レイアウト設計システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-003723   出願人：日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
• 特開平1-239873