特許
J-GLOBAL ID：200903038391466010
フォトカソードを用いた電子線リソグラフィ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡部 正夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-325582
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283466
出願日： 1993年12月24日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：
【要約】【目的】 本発明はフォトカソードを用いた電子線リソグラフィ形式に関する。【構成】 大規模集積デバイスの作製で特に重要な、サブ-ミクロンパターン描画は、パターン形成されたフォトカソードに基く。機能的には、フォトカソードは近接露光又は投影の競合するシステム中で、マスクの働きをする。動作中、フォトカソードは紫外放射で照射され、電子を放出し、電子は加速印加電圧とともに、一様な磁界の助けで、レジスト被覆したウエハ上に、焦点を合わせる。
請求項（抜粋）：
パターン形成された電子放射でレジストを照射することを含む0.25μm より小さなパターン寸法の描画を含むデバイス作製の方法において、そのようなパターン形成された放射は、UV励起された自由表面貴金属光電子放出材料を含むフォトカソードから生じ、前記放射はフォトカソードから、サイクロトロン共鳴周期の整数倍離れたそのようなレジスト上に焦点が合わされ、焦点合せと電子の加速は、パターン形成された電子放射の全断面積に渡って、本質的に均一な印加磁界及び電界により生じることを特徴とする方法。
引用特許：
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