特許
J-GLOBAL ID：200903038391618103
半導体圧力センサ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 洋二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-205474
公開番号（公開出願番号）：特開2000-039371
出願日： 1998年07月21日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：
【要約】【課題】 貼り合わせ基板を用い、基準圧力室を真空にした構造の半導体圧力センサを容易に製造することを目的とする。【解決手段】 シリコン支持部21と酸化膜22とSOI部23からなるSOIウェハ(第1のシリコン基板)のSOI部23にキャビティを形成し、この後、第2のシリコン基板30と貼り合わせを行う。その際、両基板をまず真空中で仮接合し、この後、大気圧中で熱処理を行って接合強度を高める。この貼り合わせによって基準圧力室27が形成される。そして、基板表面に形成された酸化膜28を除去した後、酸化膜22をエッチングストッパとしてシリコン支持部21を除去し、ダイヤフラム29を形成する。この後、酸化膜22、31を除去する。
請求項（抜粋）：
第1の半導体基板の一面側にキャビティを形成する工程と、前記第1の半導体基板の一面側と第2の半導体基板の一面側とを真空中で仮接合して前記キャビティ内を基準圧力室にする工程と、大気圧中で熱処理を施して前記第1の半導体基板と前記第2の半導体基板の接合強度を高める工程と、前記第1の半導体基板又は前記第2の半導体基板の他面側を薄肉化して、前記基準圧力室を一面側とするダイヤフラムを形成する工程と、前記ダイヤフラムに圧力検出素子を形成する工程とを有することを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。
IPC (2件)：
G01L 9/04 101
, H01L 29/84
G01L 9/04 101
, H01L 29/84 B
2F055AA40
, 2F055BB01
, 2F055CC02
, 2F055DD05
, 2F055EE13
, 2F055FF23
, 2F055FF43
, 2F055GG01
, 4M112AA01
, 4M112BA01
, 4M112CA02
, 4M112CA16
, 4M112DA02
, 4M112DA12
, 4M112DA18
, 4M112EA06
, 4M112FA11
