特許

J-GLOBAL ID：200903038393428131

半導体発光装置及びその製造方法

発明者： 安富 敬三 ,  能登 宣彦 ,  中村 秋夫 ,  竹中卓夫
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 志波 邦男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-090736
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283760
出願日： 1993年03月25日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：

【要約】【目的】 高輝度で且つ純粋な緑色発光が得られる半導体発光装置及びその製造方法を提供する。【構成】 周期律表第III族及び第V族からなる化合物半導体単結晶基板上に、(Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>)<SB>y</SB>In<SB>1-y</SB>P(但し0<x≦1、0<y≦1)で表される混晶型化合物半導体に、有機アルミニウム化合物の導入量を制御しながら、有機金属気相成長法(MOVPE法)により窒素をドープしてなるエピタキシャル層を形成する。有機アルミニウム化合物は、例えばトリメチルアルミニウム(TMAl)である。窒素をドープしてなるエピタキシャル層は、例えば2.30eV以上のバンドギャップを有し、且つ間接遷移領域もしくはそれに近い混晶組成の混晶型化合物半導体からなる活性層である。

請求項（抜粋）：

周期律表第III族及び第V族からなる化合物半導体単結晶基板上に、(Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>)<SB>y</SB>In<SB>1-y</SB>P(但し0<x≦1、0<y≦1)で表される混晶型化合物半導体に窒素をドープしてなるエピタキシャル層を形成したことを特徴とする半導体発光装置。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭58-046685
  
• 特開昭58-004987
  
• 特開昭63-205921
  
• 特開昭63-128775