特許
J-GLOBAL ID：200903038395163640
ウエーハの研磨方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-316623
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152264
出願日： 1991年11月29日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：
【要約】【目的】OFヘキ開部の周辺ダレをなくする、あるいは周辺ダレの量を制御することができるGaAsウェーハの研磨方法の提供。【構成】GaAsウェーハの研磨において、材質がGaAsで厚さが同じダミー基板を用いたことにより、周辺部のダレを低減し、あるいはダレ量を制御する。
請求項（抜粋）：
研磨プレートにウェーハをワックス等で接着し、片面を鏡面に仕上げるウェーハの研磨方法において、ウェーハの周辺部にウェーハの面ダレを制御するダミー基板を接着して研磨することを特徴とするウェーハの研磨方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 321
, B24B 7/22
