特許

J-GLOBAL ID：200903038397509748

洗浄装置、半導体製造装置及び半導体製造ライン

発明者： 大見 忠弘
出願人/特許権者： 大見 忠弘
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-292281
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142438
出願日： 1993年11月22日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、基体の裏面を水素終端して歩留まり低下の原因となるゴミの付着を抑制しつつ、また付着した場合でも気相で容易に除去することを可能とし、より清浄な基体を半導体生産ラインの最終工程まで確実に送ることが可能な洗浄装置、半導体製造装置及び製造ラインを提供することを目的とする。【構成】 基体裏面に薬液を供給し裏面に生成した酸化膜を除去する手段と、該手段により露出した基体面に水素活性種を含む気体を吹き付ける手段とを少なくとも有し、前記基体裏面上のダングリングボンドを前記水素活性種により水素終端することを特徴とする。また、少なくとも1つの処理槽と、該処理槽内において基体を保持する手段と、前記基体表面に水分濃度100ppb以下のガスを供給する手段と、前記基体表面にベルヌーイの圧力差を発生させるための手段とから構成される気相ゴミ除去装置を備えたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基体の裏面の洗浄と乾燥を行う洗浄装置において、基体裏面に薬液を供給し裏面に生成した酸化膜を除去する手段と、該手段により露出した基体面に水素活性種を含む気体を吹き付ける手段とを少なくとも有し、前記基体裏面上のダングリングボンドを前記水素活性種により水素終端することを特徴とする洗浄装置。

IPC (2件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 351