特許
J-GLOBAL ID：200903038402915040
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
樋口 武尚
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-050994
公開番号（公開出願番号）：特開平6-265584
出願日： 1993年03月11日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：
【要約】【目的】 MOS-ICの製造に適し、かつ、入力電圧と温度変化に対して一定となる定電圧回路単位を構成し、しかも、この定電圧回路を使用することにより電圧、電流、温度等の汎用性のある検出手段として使用できること。【構成】 入力端子1と共通入出力端子2と出力端子3と、入力端子1と出力端子3の間に接続された抵抗4と、ドレインDを出力端子3に、ソースSを共通入出力端子2に、ゲートGを入力端子1にぞれぞれ接続したMOSFET5によって抵抗4とMOSFET5からなる基本回路単位を形成する。
請求項（抜粋）：
入力端子と共通入出力端子と出力端子と、前記入力端子と前記出力端子の間に接続された抵抗と、ドレインを前記出力端子に、ソースを前記共通入出力端子に、ゲートを前記入力端子にぞれぞれ接続したMOSFETとを具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
G01R 19/00
, G01R 1/28
, G05F 3/24
