特許
J-GLOBAL ID：200903038403609342

半導体ウエハーの劈開方法およびその装置

発明者：
徐 傑

徐 傑 について

, 
鈴木 健司

鈴木 健司 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 五十嵐 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-080320
公開番号（公開出願番号）：特開平11-260764
出願日： 1998年03月12日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウエハー1の理想的な垂直劈開面を得る。【解決手段】 表面にスクライブ条痕2を刻んだ半導体ウエハー1を支点部材6a,6b上にセットする。支点部材6a,6bはスクライブ条痕2を中心にして左右対称、かつ、平行とする。半導体ウエハー1の上側に同様に支点部材4a,4bをスクライブ条痕2に対し左右対称、かつ、平行に配する。支点部材4a,4bは、支点部材6a,6bよりも外側にする。支点部材4a,4b側から荷重を加え、各支点部材4a,4b,6a,6bから半導体ウエハー1に支点力P2,P1,F2,F1を作用する。支点部材6a,6b間の半導体ウエハー1の領域は剪断力が零となり、スクライブ条痕2の垂直面に直交する方向に曲げ引っ張りの最大主応力を作用させて半導体ウエハー1をスクライブ条痕2に沿った理想的な垂直劈開面を持たせて劈開する。
請求項（抜粋）：
表面にスクライブ条痕が刻まれている半導体ウエハーの下面側を前記スクライブ条痕を間に挟んだ少くとも2点以上の位置で前記スクライブ条痕に対して平行状に支点部材で支持し、同じく半導体ウエハーの上面側を前記スクライブ条痕を間に挟み前記下側でスクライブ条痕を最も内側に挟んで支持する位置とは支持位置を異にして少くとも2点以上の位置で前記スクライブ条痕に対して平行状に支点部材で支持し、上下両側の各支点部材から半導体ウエハーに、スクライブ条痕を挟んで最も内側を支持する支点部材間の半導体ウエハーの剪断力を零とする支点力を付与し、スクライブ条痕に純曲げ引っ張り応力を作用させて半導体ウエハーを前記スクライブ条痕から劈開することを特徴とする半導体ウエハーの劈開方法。
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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