端面発光型半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-128114
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299693
出願日： 1992年04月21日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：

【要約】【目的】高電流を注入した場合や、低温度下で動作させる場合でも、発光ダイオード装置を大きくすることなくFPモードによるレーザ発振を抑圧する。【構成】この発光ダイオード装置21は、活性層25をp型及びn型のクラッド層24,26で挟んだDH構造の発光ダイオード装置であり、活性層25は、活性領域29と吸収領域30とからなっている。そして、このn型クラッド層26の下側には、n型GaAsバッファ層31、n型基板22、n型電極35が形成されており、p型クラッド層24上には、p型GaAsコンタクト層23、SiN絶縁層32、p型電極33及び金属材料34が形成されており、この絶縁層32の一部はトライプ状にエッチングされて電極コンタクト部分36を形成している。また、吸収領域30の上面の一部は、金属材料34と接して合金化処理を施されており、その部分は粗面化した強い光吸収面となっている。

請求項（抜粋）：

活性層の上下をこの活性層よりもバンドギャップエネルギが大きく、かつ屈折率の小さいp型及びn型のクラッド層で挟まれたダブルヘテロ構造の端面発光型半導体装置において、前記活性層は活性領域と吸収領域とからなり、この吸収領域の少なくとも上面の一部が粗面となっていることを特徴とする端面発光型半導体装置。

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