特許
J-GLOBAL ID：200903038409591976
薄膜状半導体素子およびその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-238709
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055581
出願日： 1991年08月26日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：
【要約】【構成】 絶縁性基板状に形成されたTFT等の薄膜状半導体素子において、該半導体素子の下に緩衝用絶縁膜を介して窒化珪素、酸化アルミニウム、酸化タンタル等からなる第1のブロッキング膜を形成し、さらに、TFTの上に第2のブロッキング膜を形成し,前記第1および第2のブロッキング膜でTFTを覆うことによって基板やその他外部からの可動イオンの侵入を阻止するとともに、TFTのチャネル領域とゲイト絶縁膜中にはハロゲン元素が1×1018cm-3以上、5×1018cm-3以下だけ存在することを特徴とする薄膜状半導体素子およびその作製方法。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された第1のブロッキング膜と、前記ブロッキング膜上に形成された絶縁性被膜と、前記絶縁性被膜上に形成され、チャネル領域に1×1018個/cm3 以上5×1020個/cm3 以下のハロゲン原子を有する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを包んで形成された第2のブロッキング膜を有する薄膜状半導体素子。
IPC (2件)：
引用特許：
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