特許

J-GLOBAL ID：200903038411180207

コンタクトプラグ形成方法

発明者： 二河 秀夫
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-256021
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112155
出願日： 1992年09月25日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：

【要約】【目的】 平坦性に優れたコンタクトプラグを形成する。【構成】 コンタクト孔を有する下地基板11、12、13、14上に、密着層15を形成する。W(タングステン)16を全面堆積することで、プラグ中心部に窪み17が発生する。次に、W酸化膜18を形成する。その後、エッチバックする。W酸化膜のエッチング速度は、Wに比べて遅いのでプラグ中心部のW酸化膜がマスクとなり、中心部のエッチング量は少なくなる。したがって、プラグ中心部の窪みがない、平坦性に優れたコンタクトプラグを形成できる。

請求項（抜粋）：

コンタクト孔を有する下地基板上に、タングステン膜を前記コンタクト孔深さ途中まで全面堆積し、次に前記タングステン膜上にタングステン酸化膜を堆積し、その後、エッチングを行い、前記コンタクト孔にタングステン膜のみ、あるいは、前記タングステン膜および前記タングステン酸化膜を残した後、前記タングステン酸化膜を還元する工程を備えたことを特徴とするコンタクトプラグ形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/90