特許
J-GLOBAL ID：200903038411739514
半導体温度センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-044922
公開番号（公開出願番号）：特開平5-248962
出願日： 1992年03月02日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：
【要約】【目的】 出力電圧が高く、かつプロセスバラツキの小さい高精度な半導体温度センサを実現する。【構成】 ダーリントン接続されたトランジスタ2、3、4のそれぞれのエミッタ端子にMOSトランジスタ5、6、7を個別に接続し、これらのMOSトランジスタ5、6、7をMOSトランジスタ8を用いてカレントミラー回路で駆動する。
請求項（抜粋）：
感温素子である複数のバイポーラ型トランジスタを接続してなるダーリントン回路と、これに給電する定電流源と、上記定電流源にドレインが接続された第1のMOSトランジスタと、上記ダーリントン回路の最終段バイポーラ型トランジスタのエミッタ端子にドレインが接続された第2のMOSトランジスタとからなり、両MOSトランジスタのソースおよびゲート同士がそれぞれ接続されてカレントミラー回路を構成する半導体温度センサにおいて、上記最終段を除くバイポーラ型トランジスタには、それぞれに対応してMOSトランジスタが設けられ、それぞれのドレイン端子は上記バイポーラ型トランジスタの対応するエミッタ端子に、また、ゲート端子は上記第1および第2のMOSトランジスタとも互いに接続され、かつ、それらのチャネル幅、もしくは、チャネル長は、半導体温度センサを構成するバイポーラ型トランジスタの各々のエミッタ電流が全て等しくなるように設定されていることを特徴とする半導体温度センサ。
引用特許：
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