特許

J-GLOBAL ID：200903038415549973

太陽電池の製造方法

発明者： 町田 智弘 ,  南森 孝幸 ,  竹田 喜彦 ,  西田 誠 ,  利根川 正
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-124991
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326989
出願日： 1992年05月18日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】 太陽電池の基板に埋込まれた微細な受光面電極を簡単に形成する。【構成】 p型シリコン基板1の表面にn+ 拡散層4を形成する。必要な表面処理を施した後、表面にPSG膜11を形成する。その表面にポリイミドフィルム12を張付け、レーザ加工することにより受光面電極埋込用の凹部1-1およびその周辺にn++拡散層2が形成される。次に金属ペースト9を塗布しポリイミドフィルム12を剥して焼成することにより受光面電極9-1が形成される。

請求項（抜粋）：

光電変換層およびパッシベーション膜の形成を含む表面の処理を施した第1の導電型のシリコン基板の表面に第2の導電型のドーパントを含む材料を塗布乾燥する工程と、前記の材料を塗布乾燥した表面にフィルムを貼付ける工程と、レーザ光を受光面電極のパターンに従ってフィルムの表面に照射し、電極埋込用の開口部形成とともに開口部周辺部に第2の導電型の拡散層を形成する工程と、レーザ光により形成された開口部の表面に金属ペーストを塗布する工程と、フィルムを剥して電極を焼成する工程、を有することを特徴とする太陽電池の製造方法。