特許
J-GLOBAL ID：200903038416516823
高周波電力増幅器
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-095129
公開番号（公開出願番号）：特開平8-293746
出願日： 1995年04月20日
公開日（公表日）： 1996年11月05日
要約：
【要約】【目的】広帯域化に適し、かつ低コスト及び低電圧化に最適な高周波電力増幅器を提供する。【構成】高周波電力増幅器の出力段のトランジスタ及び出力整合回路において、出力段のMOSFET Q11と同一の基板上に短絡スタブM11,C11を設け、短絡スタブM11の一端をMOSFET Q11のドレインに接続し、短絡スタブを構成するマイクロストリップ線路M11の誘電体として絶縁膜を用い、そのマイクロストリップ線路のグランドプレーンとして高濃度p型シリコン基板S12又はシリコン基板S12上の金属膜を用い、別基板上S11の出力整合回路とボンディングワイヤLw12で接続した。【効果】出力段にトランジスタを用いた電力増幅器において、低コスト、低電源電圧、広帯域特性の高周波電力増幅器を実現できる。
請求項（抜粋）：
半導体からなる第1の基板上にトランジスタと一端を上記トランジスタの出力端に接続し他端を短絡した短絡スタブを設けた電力増幅トランジスタ回路と、第2の基板上に形成したマイクロストリップ線路及び容量素子及びインダクタンス素子の組み合わせからなる出力整合回路と、上記出力端と上記出力整合回路を接続するボンディングワイヤとをもち、上記短絡スタブのマイクロストリップ線路を構成する誘電体として絶縁体を用い、グランドプレーンとして上記第1の基板又は上記第1の基板上に形成した金属膜を用いて構成したことを特徴とする高周波電力増幅器。
IPC (2件)：
FI (2件)：
前のページに戻る
