特許
J-GLOBAL ID：200903038424700170
磁気抵抗効果素子、これを用いた磁気抵抗効果型ヘッド、メモリー素子、及び増幅素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-334673
公開番号（公開出願番号）：特開平10-294507
出願日： 1995年05月02日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：
【要約】【課題】 微小磁界動作が可能で比較的大きなMR比を示す高感度磁気抵抗素子および磁気抵抗効果型ヘッドを提供する。半導体を用いない非破壊読み出しが可能な不揮発性のメモリー素子および増幅素子を提供する。【解決手段】 基板と、その基板の上に形成された多層構造であって、硬質磁性膜と、軟磁性膜と、その硬質磁性膜とその軟磁性膜とを分離する非磁性金属膜とを含む多層構造とを有する磁気抵抗効果素子であって、その硬質磁性膜の磁化曲線は良好な角型性を有しており、その硬質磁性膜の磁化容易軸方向は検知すべき磁界の方向と実質的に一致する磁気抵抗効果素子。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板の上に形成された多層構造とを有する磁気抵抗効果素子であって、前記多層構造は、硬質磁性膜と、軟磁性膜と、前記硬質磁性膜と前記軟磁性膜とを分離する非磁性金属膜とを含み、前記硬質磁性膜の磁化容易軸方向は検知すべき磁界の方向と実質的に一致し、前記硬質磁性膜は、CoYFe1-Y(0.3≦Y<0.5)を含む、磁気抵抗効果素子。
IPC (4件)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, G11C 11/15
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, G11C 11/15
, G01R 33/06 R
