ドライエツチング方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石戸元
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-326970
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144778
出願日： 1991年11月15日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：

【要約】【目的】装置及び処理ウェーハの汚染を低減して再現性および保守性を改善し、かつ高選択比のシリコン酸化膜のドライエッチング方法を提供する。【構成】エッチングガスとして水素原子を含まないガスのみを供給して放電させ、シリコン酸化膜をエッチングすることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

真空チャンバ(1)内に被エッチングウェーハ(7)を載置するウェーハ載置電極(2)とこれに平行に対向して対向電極(3)を設置し、この両電極(2,3)に交流電力を供給してプラズマエッチングする方法において、エッチングガスとして水素原子を含まないガスのみを供給して放電させ、シリコン酸化膜を選択的にエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。

前のページに戻る