特許

J-GLOBAL ID：200903038430237589

不揮発性半導体記憶装置の製造方法

発明者： 平野 幹二
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-261507
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102491
出願日： 1991年10月09日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】【目的】 EPROMトランジスタの書き込みを速めるためにチャネル直下に注入するP- 型領域がしきい値電圧に影響しないようにし、EPROMトランジスタのパターニングをサイドウォール形成前に行なうことでサイドウォールの残査によるエッチング異常を防止する。【構成】 フローティングゲート型不揮発性半導体記憶装置のEPROM領域10にゲートを設け、このゲートにサイドウォール7を形成した後、回転イオン注入法を用いてEPROM領域10のソース、ドレイン形成のための高濃度イオン注入と、EPROM領域の基板1深くに基板1と同一導電型の低濃度イオンの注入とを行なう。

請求項（抜粋）：

フローティングゲート型不揮発性半導体記憶装置のソース、ドレイン高濃度不純物領域を、EPROM領域のゲートにサイドウォールを形成した後、回転斜めイオン注入法により形成することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/265

FI (3件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 21/265 F ,  H01L 21/265 V