特許
J-GLOBAL ID:200903038432737201

無電解ニッケルめっき用活性化処理液及びエッチング液並びに半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 井桁 貞一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-128263
公開番号(公開出願番号):特開平9-316650
出願日: 1996年05月23日
公開日(公表日): 1997年12月09日
要約:
【要約】【課題】 アルミニウムへの選択的無電解ニッケルめっきの被着性を向上する,エッチング液及びPH11〜13の活性化処理液を提供する。【解決手段】 パラジウム化合物と,アンモニア基を有するキレート化剤とを,無機塩基でPHが調整された水溶液に溶解してなる活性化処理液。パラジウム化合物はPdCl2 ,PdSO4 又はPd(NO3 )2 から,またキレート化剤はNH4 OH,NH4 Cl,(NH4 )2 CO3 又はNH4 HCO3 から選択でき,無機塩基はKOH又はNaOHから選択できる。エッチング液は,パラジウム化合物又は亜鉛化合物を,硫酸水溶液に溶解してなる。パラジウム化合物はPdCl2 ,PdSO4 ,Pd(NO3 )2 又は(NH4 )2 PdCl4 から選択でき,亜鉛化合物は,ZnCl2 及びZnSO4 から選択できる。
請求項(抜粋):
アルミニウム電極表面を活性化処理するための無電解ニッケルめっき用活性化処理液において,パラジウム化合物と,アンモニア基を有するキレート化剤とを,無機塩基の水溶液に溶解してなることを特徴とする無電解ニッケルめっき用活性化処理液。
IPC (4件):
C23C 18/30 ,  C23C 18/32 ,  C23F 1/20 ,  H01L 21/306
FI (4件):
C23C 18/30 ,  C23C 18/32 ,  C23F 1/20 ,  H01L 21/306 F

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