特許

J-GLOBAL ID：200903038433441845

変調された波形を使用する金属の電気化学堆積方法

発明者： スリニバス ガンディコタ ,  アレン デュボウスト ,  シュー ネオ ,  リャン ユー チェン ,  ロビン チェウン ,  ダニエル エー カール ,  ホン シー
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 中村 稔 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-114631
公開番号（公開出願番号）：特開2001-303289
出願日： 2001年03月08日
公開日（公表日）： 2001年10月31日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 金属を電気化学堆積するための方法を提供することである。【解決手段】 基板に少なくとも2つの電気パルスを印加するステップと、2つのパルス間に少なくとも1つの0電圧または電流の時間間隔(オフ時間)を設けるステップを有する。1つの実施の形態では、このオフ時間は溶解パルス後に設けられ、一方別の実施の形態では、オフ時間は堆積パルスの後に設けられる。高アスペクト比フィーチャのボイドの無い、又継ぎ目のない堆積は、電気パルス振幅、及びパルスめっき波形内の時間幅を最適化することによって達成される。

請求項（抜粋）：

基板上に金属を電気めっきするための方法であって、(a)上記基板に第1の電気パルスを印加するステップと、(b)上記第1の電気パルスの後に、0電気パルスの時間間隔を設けるステップと、(c)上記基板に第2の電気パルスを印加するステップと、を含むことを特徴とする方法。

IPC (5件)：

C25D 5/18 ,  C25D 7/12 ,  C25D 21/12 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/768

FI (5件)：

C25D 5/18 ,  C25D 7/12 ,  C25D 21/12 K ,  H01L 21/288 E ,  H01L 21/90 C

Fターム (28件)：

4K024AA09 ,  4K024AB01 ,  4K024AB02 ,  4K024AB15 ,  4K024BA11 ,  4K024BB12 ,  4K024CA07 ,  4K024CA08 ,  4K024GA16 ,  4M104BB04 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104CC01 ,  4M104DD52 ,  4M104FF18 ,  4M104HH13 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK01 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP14 ,  5F033PP27 ,  5F033WW00 ,  5F033WW08 ,  5F033XX02 ,  5F033XX04