表示装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：丸島儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-137319
公開番号（公開出願番号）：特開平8-006071
出願日： 1994年06月20日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：

【要約】【目的】キャリア移動度が十分高く、電流の立ち上がり特性の良好なp-SiTFTを用いて、高画素、高精細な画像表示が可能な表示装置を提供すること。【構成】アクティブマトリクス基板は、水素の拡散を抑制する第一の膜と、水素を前記多結晶シリコンに供給する第二の膜とを有し、前記第一の膜と前記第二の膜とが、多結晶シリコンを挟む上下の位置に配されていることを特徴とする表示装置。【効果】極めて高精細な液晶画像表示が可能、また、ソースドレイン間のリーク電流が小さいために、画素電極の電荷の保持時間が長く、コントラスト比に優れた表示画像が得られる。

請求項（抜粋）：

複数の信号線と複数の走査線の交点に対応して多結晶シリコンを半導体層に用いた薄膜トランジスタを配して構成したアクティブマトリクス基板と、該アクティブマトリクス基板に対向する対向基板と、の間に液晶を挟持してなる液晶を用いた表示装置において、前記アクティブマトリクス基板は、水素の拡散を抑制する第一の膜と、水素を前記多結晶シリコンに供給する第二の膜とを有し、前記第一の膜と前記第二の膜とが、前記多結晶シリコンを挟む上下の位置に配されていることを特徴とする表示装置。

IPC (3件)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/1333 505 , H01L 29/786

FI (2件)：

H01L 29/78 311 X , H01L 29/78 311 N

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平4-299317
特開平3-293719
特開平4-298722

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