特許
J-GLOBAL ID：200903038443852770
ガスセンサ素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
高橋 祥泰
, 岩倉 民芳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-302212
公開番号（公開出願番号）：特開2004-138451
出願日： 2002年10月16日
公開日（公表日）： 2004年05月13日
要約：
【課題】応答性ばらつきの少ないガスセンサ素子の製造方法を提供すること。【解決手段】固体電解質体10における保護層形成面の径測定位置Aにおいて固体電解質体10の径Rを測定し,保護層形成面に対しプラズマ溶射装置を用いて溶融した保護層用材料を吹き付けて保護層12を形成し,径測定位置Aにおける法線と保護層表面との交点Bにおいて保護層12を含めた固体電解質体10の径Sを測定し,SとRとの差を保護層12の厚みとみなして,該厚みに基づいてプラズマ溶射装置における保護層用材料の吹き付け量を制御することにより所望の厚みを備えた保護層12を形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
先端部が有底,該先端部と反対側の基端部が開口した円筒型で略コップ形状の固体電解質体と,該固体電解質体の表面に設けた電極と,上記電極の表面を覆う多孔質の保護層とを有するガスセンサ素子を製造するに当たり,
上記固体電解質体の電極形成面に電極を形成し,
次いで上記固体電解質体における保護層形成面の径測定位置Aにおいて上記固体電解質体の径Rを測定し,
上記保護層形成面に対しプラズマ溶射装置を用いて溶融した保護層用材料を吹き付けて保護層を形成し,
上記径測定位置Aにおける法線と上記保護層表面との交点Bにおいて上記保護層を含めた上記固体電解質体の径Sを測定し,
SとRとの差を上記保護層の厚みとみなして,該厚みに基づいて上記プラズマ溶射装置における上記保護層用材料の吹き付け量を制御することにより所望の厚みを備えた上記保護層を形成することを特徴とするガスセンサ素子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
2G004BB01
, 2G004BC02
, 2G004BF03
, 2G004BF09
, 2G004BM07
, 2G004BM09
